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Si 800μm 1064nmAPD

产品概述：

Si 800μm 1064nm APD (硅基800微米厚度的1064纳米波长适用雪崩光电二极管)是一种专门设计用于探测特定波长光的高灵敏度半导体器件。

关键词： 800μm 1064nm 光电二极管 Si

产品型号：GY-SI-APD-800-TO46

技术支持：黄工 13427781756 (微信同号|可扫码）

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产品介绍

参数名称	符号	最小	最大	单位
APD 偏置电压	VPD	——	0.98VBR	V
工作温度	TC	-45	+85	⁰C
贮存温度	TSTG	-45	+100	⁰C
正向电流	IF	——	1	mA

特性参数	符号	测试条件	最小	典型	最大	单位
光谱响应范围	λ	——	400 ~ 1100			nm
光敏面直径	φ	——	800			μm
响应度	Re	λ=1064nm,φe=1μw, M=100	30	36	——	A/W
响应时间	TS	f=1MHz,RL=50Ω,λ=1064nm	——	2.0	——	ns
暗电流	Id	M=100	——	5.0	12.0	nA
总电容	C	M=100, f=1MHz	——	2.5	4.0	pF
反向击穿电压	VBR	IR=10μA	350	——	460	V
击穿电压温度系数	δ	Tc=-40℃～85℃	——	2.4	3.0	V/℃

特性参数	最小	典型	最大	单位	Notes
芯片宽度	1550	1560	1570	µm
芯片长度	1550	1560	1570	µm
芯片厚度	110	120	130	µm
N-电极/R	——	80	——	µm	Au metal
P-电极	——			µm	Au metal