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InGaAs-1000μm APD管子光电二极管低光级探测

产品概述：

InGaAs Φ 1000μm APD Chip（铟镓砷1000微米直径雪崩光电二极管芯片）是一种高性能的半导体光电探测器，专门设计用于在近红外波段检测微弱的光信号。

关键词： 1000μm 光电二极管低光级探测

产品型号：GY-APD-1000-TO46

技术支持：黄工 13427781756 (微信同号|可扫码）

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产品介绍

参数名称	符号	最小	最大	单位
APD 偏置电压	VPD	——	VBR	V
工作温度	TC	-40	+85	⁰C
贮存温度	TSTG	-55	+125	⁰C
正向电流	IF	——	5	mA
反向电流	IR	——	3	mA

特性参数	符号	测试条件	最小	典型	最大	单位
光谱响应范围	λ	——	950 ~ 1700			nm
响应度	Re	λ=1550nm Pin=1μW, M=1	0.70	——	——	A/W
倍增因子	M	λ=1550nm Pin=1μW, VR=VBR-3	10.00	——	——	——
		λ=1550nm Pin=1μW, VR=VBR-2	20.00	——	——	——
		λ=1550nm Pin=1μW, VR=VBR-1	30.00	——	——	——
暗电流	Id	VR=VBR-3, Pin=0μW	——	80.00	150.00	nA
-3dB 截止频率	BW	M=10, RL=50Ω	0.90	0.25	——	GHz
反向击穿电压	VBR	IR=10μA, Pin=0μW	40.00	——	60.00	V
电容	C	VR=VBR-3, f=1MHz	——	20.0	30.00	pF
击穿电压温度系数	γ	IR=10μA, Pin=0μW -55℃～+85℃	0.12	0.15	0.18	V/℃

特性参数	最小	典型	最大	单位	Notes
芯片宽度	1105	1115	1125	µm
芯片长度	1105	1115	1125	µm
芯片厚度	190	200	210	µm
光敏面直径	——	1000	——	µm
P 极焊盘直径	——	80	——	µm	Au metal